Эффект фотопьезоэлектрического индуцирования упругих колебаний в высокоомных монокристаллах арсенида галлия



Реферат:Обнаружен эффект фотопьезоэлектрического индуцирования упругих колебаний в высокоомных монокристаллах GaAs, легированных примесями Cr или Fe. Установлен температурный интервал, где наблюдается максимум амплитуды упругих колебаний в монокристаллах арсенида галлия. Объяснено уменьшение амплитуды индуцируемых световыми импульсами упругих колебаний в низкотемпературной области их демпфированием за счет акустоэлектронной релаксации и в высокотемпературной области - экранированием фотоЭДС. Сформулированы физические основы фотопьезоэлектрического возбуждения изгибных и продольных разонансных механических колебаний пластин пьезополупроводников. Полученные результаты позволяют разработать новые методы исследования материалов микроэлектроники. Эффект возбуждения резонансных механических колебаний пластины пьезополупроводника с помощью световых импульсов может быть использован для разработки оптически управляемых пассивных исполнительных устройств, а также для дистанционного возбуждения звуковых колебаний с помощью лазерного луча.
Автор: Руденко Анатолий Александрович
Тип диссертации:1
Дата защиты:May 29, 2007
Количество страниц:124
Руководители: Митрохин В.И.
Оппоненты: Буданов А.В.
Калинин Ю.Е.
Ключевые слова: