Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания планарных мощных МОП-транзисторов с повышенным значением пробивного напряжения для интеллектуальных силовых интегральных схем



Реферат:Разработана методика математического приборно-технологического моделирования, позволяющая провести исследование возможности увеличения пробивного напряжения p-n-переходов и планарных мощных МОП-транзисторов. Установлены основные закономерности, характерные для мощного планарного МОП-транзистора с пинч-резистором, определяющие зависимость напряжения лавинного пробоя перехода сток - подложка от ряда конструктивно-технологических параметров прибора. Результаты приборно-технологического моделирования позволили внести изменения в топологию и технологический маршрут создания планарного мощного МОП-транзистора для увеличения его пробивного напряжения. Результаты работы (методика, конструкция, технология изготовления приборов) внедрены в опытное производство Государственного учреждения научно-производственного центра "Технологический центр" МИЭТ, где изготовлены экспериментальные образцы планарных мощных МОП-транзисторов, имеющих увеличенное до 192 В пробивное напряжение, при относительно малом сопротивлении во включенном состоянии.
Автор:Красюков Антон Юрьевич
Тип диссертации:1
Дата защиты:Dec. 20, 2005
Количество страниц:134
Руководители: Королев М.А. д.т.н., проф. 05.27.01
Оппоненты: Петросянц К.О. д.т.н., проф. 05.27.01
Амеличев В.В. к.т.н. 05.27.01
Ключевые слова: