Разработка реактора эпитаксиального наращивания одиночных подложек и исследование в нем теплофизических и физико-механических процессов



Реферат:Цель: разработка эпитаксиальных реакторов наращивания одиночных подложек больших диаметров в условиях нормального и пониженного давления газа. Исследованы поля распределения температур по подложке в условиях высокотемпературной обработки при эпитаксиальном росте в реакционной камере. Разработаны методика расчета напряженно-деформированного состояния подложки при эпитаксиальном наращивании с учетом поля температур; модель пластической деформации подложки по результатам анализа распределения напряжений и исследования структуры материала; программа расчета газодинамических параметров потока в реакторе, позволяющих построить распределение линий тока, полей скоростей и температур, выявить аномальные зоны течения; методика расчета деформации подложки при действии массовых сил в условиях высокотемпературной обработки; методика выбора параметров движения подложки относительно газового потока для выравнивания толщины эпитаксиального слоя в процессе роста. Определены расчетные параметры реактора для работы в условиях пониженного давления газа.
Автор:Миркурбанов Халит Абдулгазизович
Тип диссертации:1
Дата защиты:Nov. 5, 2005
Количество страниц:242
Руководители: Тимофеев В.Н. д.т.н. 05.27.06
Оппоненты: Кандыба П.Е. д.т.н. 05.27.06
Петров С.В. к.т.н. 05.27.06
Ключевые слова: