Термическая кристаллизация германия на кремнии из дискретного жидкофазного источника через вакуумную зону



Реферат:Разработан новый метод получения германиевых тонких эпитаксиальных слоев и наноразмерных островковых структур на кремниевых подложках большой площади. Отличительной особенностью метода является использование источника дискретного типа, массоперенос ростового вещества из которого осуществляется на подложку через тонкую вакуумную зону. Предложена математическая модель массопереноса из дискретного источника, позволяющая устанавливать закономерности осаждения и геометрические характеристики выращенных новым методом структур и тонких слоев. Установлены оптимальные технологические режимы получения тонких эпитаксиальных слоев германия на кремнии с шероховатостью поверхности менее 2 нм и низким содержанием структурных дефектов, а также массивов квантовых точек германия с поверхностной плотностью 1,1∙1011 см-2 и средним размером 20 нм. Структуры QD-Ge/Si, содержащие квантовые точки преимущественно hut-типа, были использованы в качестве активных слоев фотоэлектрического преобразователя с промежуточной энергетической подзоной, за счет чего обеспечивалось увеличение плотности генерируемого фототока на 0,5 мА/см2 по сравнению с аналогичными фотопреобразователями не содержащими квантовых точек.
Автор:Яценко Алексей Николаевич
Тип диссертации:1
Дата защиты:July 29, 2017
Количество страниц:150